MOS管单脉冲能量怎么评估？
请问MOS管中有什么参数能够评估MOS能不能承受这样的瞬间能量？
谢谢各位前辈！！
冲击电流受限于Id,max 然后温度受限于Tj
这个电流脉冲只是在开机时有一下，正常工作就没有了，要怎么推算瞬间的Tj?
你确定这个是MOS管上流过的电流？你的回路里是有电感的啊。一般而言，上电时出现的电流冲击尖峰来自于X电容。
回路没有电感，这不是开关电源电路，只是做的一个电容充电的脉冲电流检测电路，原理图如上图，实际测出流过MOS管的电流与仿真结果一样。
当MOS的gate突然加一个15V的高电压。
先搞懂什么叫“突然”，参考阅读：【关于时间的概念】
老哥， 我语文高考不及格，别闹，回归主题好吧！
主题就是“突然"是多少?工程上叫di/dt，没有这个参数，只能得出神仙数据。
我关心的不是di/dt是多少，我关心的是MOS的单脉冲能量用什么方法来评估，电流峰值6A，半峰值宽度8us，你如果知道就先谢谢你，如果不知道别扯别的。
我知道的是：单脉冲能量要用di/dt的方法来评估，至少要知道脉冲过程。如果你能理解，算你的收获，如果不能理解，扯别的也不能理解。
上升时间600ns，峰值6A，上升的di/dt=10A/us，
愿听大神详解！看看怎么通过di/dt来评估单脉冲能量，也给世纪电源网的小伙伴们长长见识！
你这个实测波形就对了，有di/dt，电流过程才能与电压过程相乘，才能得到功率过程，最后向能量归结。这是常识，不算见识。
能量我早就算过了，大约8mJ，这个电流过程和MOS管规格书中关于EAS的评估方法不太一样（EAS是在gate不加电压，而Vds电压达到击穿电压时流过的单脉冲能量），不知可不可以用EAS能量来评估？
说能量，说的是能量平衡，总能量为A，在MOS上必定少于A，这不就是你的问题吗?
A是什么东东？能说清楚一点吗？看看你自己的回复，哪句是有用的？是我问题太难还是水平问题？豪言壮语说了那么多！di/dt也告诉你了，怎么评估你倒是说个123出来？
知之为知之，不知为不知，是知也！
A就是你说的8mJ，致于来路是否清楚，自己可再核实一遍。现在的问题是MOS上分配了多少焦耳？己经给出的信息量己经足够，一般人不需要进一步提示。但是少数人可能还能不理解，认为没用，不知者不为过，与豪言壮语也扯不上关系。
8mJ就是MOS上消耗的能量，只是我不知道MOS管的规格书中该用哪个参数来衡量我的MOS在8mJ情况下会不会有可靠性问题！那我问问大家，有几个人听懂了你说的是什么意思？是理解能力问题还是表达能力问题？
MOS耐受脉冲功率冲击的能力有专门的表述，功率与能量的区别在于时间，一查表即可得出结果，还没见过谁为此纠结过，一般会阅读说明书的人都懂。也扯不到其他事情上去。
终于回到主题了，早这么说早解决了，请问你所说的查表是指什么表？SOA曲线吗？做为一个电源网的菜鸟，真诚的向您提问！
早就说了，要有脉冲电流过程、要有峰值（你最早那个模型算不出峰值）、要有时间的概念，才能用那个SOA曲线表。
同时还提醒你，还要有能量平衡的概念，小心那只二极管上也有若干焦尔。
是态度问题。
我敬仰有真材实料的人，我敬仰有说话有依据不扯皮的人，我敬仰虚心好学的人，我敬仰热心参与讨论的人；鄙视不懂装懂的人，鄙视偷换概念扯皮的人。我提的这个问题，相信大部分电源工程师都没有研究过，所以发出来想问一下大家有没有研究过这方面的。而且在基本开关电源中也没有这样的应用，正如8楼的h8f10所说的那样，一般开关电源中是有电感给MOS管进行限流的（我敬仰h8f10这样的工程师，说话负责，先把事情具体情况清楚再发表评论的人）。 我发这个帖子不仅仅是为我自己，也是希望大家能够借这个问题对MOS管的安全工作有更深入的理解。切勿扯皮说空话！
看吧，就这态度，愿天保佑你。
大家都是交流技术问题，为技术让路
对于楼主这种变态非线性应用，这种简单的仿真；没有任何意义。
既然是评估，自然需要考虑三方面内容：
1）电容实际储能。楼主的算法，大多情况可以接收。暂且这样。
2）电容内阻。
3）连接线内阻。
剩下；就是MOSFET自己的损耗了。
楼主的主贴最后一图，清晰说明，MOSFET漏极电流与栅电压有关；也与漏极电压有关。且函数是非线性的。
结合上帖内容；楼主要想知道MOSFET实际单脉冲能量损耗。在没有百万级以上仿真软件支持下，建议实测。
基本上；超过10W的；带功率分析的示波器已经可以满足测试要求。
谢谢，11楼是我的实际测试的MOS管电流波形(6A,6us,)，电流峰值与脉冲宽度与仿真数据基本一致在一个数量级上(仿真为5A,8us)，
其实我的实际电路就是图1中的那样，MOS管的电压就是一个400V下降到0的过程，电容C1充满电后，MOS电流也就为0了。
如果不是电容对电容的直接冲击，前面的源通常已经限流了。
另外；MOSFET安全工作区间图告诉我们，如果脉冲宽度没有超10uS，一般MOSFET都是安全的。所以；8uS可以过。
建议去查下MOSFET安全工作区间图，核查一下。
也就是说，利用示波器中的高级函数功能，将MOSFET瞬间电压、电流相乘后积分，获得MOSFET实际吃到的能量。
关于MOSFET是否能承受这个能量，无非是考察MOSFET结温是否高过额定。
关于瞬态结温，有两个方法：
1）计算法：用刚才获得的瞬态能耗，乘以该元件的瞬态热阻，就是理论结温。
2）实测法：完整测量电容放电后瞬间；反向对MOSFET通电，测得MOSFET寄生二极管电压、电流值。反查该二极管V-I特性，即可获得真实结温。
瞬态热阻是指这个图吧！对single pulse 按10us查表，热阻在0.01C/W。瞬态功率按400V/2*6A算为1200W，这样算出结温只升高12度。
图中有个公式：Tjmax=PDmax*Rθjc+Tc 意思是 结温=瞬态功率*瞬态热阻（j-c）+表面温度
这样只要这个结温不超过器件规格书的最大结温是不是就是OK的？
对头！
非常感谢 @xkw1cn
其实在这个实际应用中没有遇到损坏MOS，只是对这们问题没有进行过清楚的理论计算，对这个问题的边界了解不是很清楚，通个帖子真正了解了。
再次感谢！+敬仰
不用谢！赞赏你的认真精神！
这个方法挺好用的，非常有帮助 平面变压器厂家 | 平面电感厂家
大家帮忙看看这个boost恒流，电流恒不住。大家帮忙看看，这个升压恒流充电 电流波动较大，大概是什么问题啊？
输入是30V，电池电压为40-60V
首先我没做过，
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