选择高压场效应管实现节能
热阻的重要性表现在多个方面，包括器件的额定电流，如表1所示。给出的三种不同的600V器件的额定电流均为7A，但各自的RDS(on)值与RΦJC值差异很大。由于MOSFET器件的额定电流只是由导通损耗公式决定的，因此低热阻的高频电感影响明显。
因此，选择正确的器件实际上取决于你打算如何使用这些器件，打算使用什么切换频率，什么拓扑结构和应用中的导热路径，当然，还要考虑你准备接受的成本。
一些通用的指导是，在不存在体二极管恢复损耗的功率因数校正（PFC）及回扫应用中，如果RDS(on)大于1Ω，高级平面工艺，例如,UniFET（II）、QFET及CFET则是较好的解决插件电感器方案。这很大程度上是因为较低的RΦJC有助于器件保持较低温度。对于高RDS(on)的需求，由于边缘终端的缘故，电荷反射型器件的有缘区在整个片基区域中的比例相对较小，而平面工艺的MOSFET，即使硅片稍大，也是较为便宜的工艺，而两者封装成本大至相同。
对于需要反向恢复的应用，在RDS(on)值与RΦJC值之外还需考察二极管特性，插件电感器这一点是十分重要的。采用高级平面工艺与电荷平衡工艺的MOSFET插件电感器器件均可具备改进体二极管的特性。
在需要最低RDS(on)与快速切换的应用中，新的平衡型器件，例如SupreMOS与SuperFET，可提供最大的优势。电感器设计一般而言，SuperFET器件在RDS(on)要求为0.5～1Ω之时优势最大。而SuperMOS在RDS(on)低于0.5Ω时优势明显。这一差异又是由于热阻的作用。
寻找一款8A恒流，40VIN，15VOUT的BOOST芯片 本帖最后由 502360026 于 2014-12-12 08:50 编辑 给蓄电池充电的，BOOST或者自动升降压都可以的。 修改下：是12VIN，15VOUT！40V IN ,15V out, 这个应该是buck型的LT3763用3842非常合适，再用358横流，做成浮驱MOS或者是浮地输出都可以8A电流，LM358加功率三极管的线性恒流效率低、发热很大，不可取。 PWM直接控制恒流。 xmar 发表于 2014-
2016年全球MEMS公司营收排行TOP 30，博世、ST、TI 从 2012 年开始，博世、ST、TI 一直牢牢占据着全球 MEMS 榜单前三的位置，似乎无人能够挑战。
然而在 Yole 最新发布的一份全球 MEMS 公司排名中显示，产业格局正在悄然改变
OLED驱动器和模块设计在手机屏中的应用在发现电子发光机理的十年后,有机发光二极管(OLED)技术最终商用在手机,MP3和数码相机中。按DisplaySearch的数据报告,从2001年第一颗单芯片OLED驱动器起,2003年有超过一千七百