您现在的位置:首页 > 技术支持技术支持

基于DS18B20与TMS320LF2407A的测温系统

发布时间:2018-07-26 07:54:56  来源:大电流电感厂家   查看:

前 言

  DS18B2普遍都线圈电感是和单片机配合使用,很少有关于DSP与DS18B20的连接的接口报道,所以此文详细介绍了TMS320LF2407与 DS18B20的连接方法,并且很详细的介绍了如何用C语言完成精确的软件延时,从而完成DS18B20与TMS320LF2407之间的基于单线总线协议的数据通讯。

  1 DS18B20的时序

  1. 1 复位时序

  复位使用DS18B20时,首先需将其复位,然后才能执行其它命令。复位时,主机将数据线拉为低电平并保持480us~960us,然后释放数据线,再由上拉电阻将数据线拉高15~60us,等待DS18B20发出存在脉冲,存在脉冲有效时间为60~240us,这样,就完成了复位操作。

  1.2 写时序

  在主机对DS18B20写数据时,先将数据线置为高电平,再变为低电平,该低电平应大于1us。在数据线变为低电平后15us内,根据写“1”或写“0” 使数据线变高或继续为低。DS18B20将在数据线变成低电平后15us~60us内对数据线进行采样。要求写入DS插件电感18B20的数据持续时间应大于 60us而小于120us,两次写数据之间的时间间隔应大于1us。

  1.3 读时序

  读时隙当主机从DS18B20读数据时,主机先将数据线置为高电平,再变为低电平,该低电平应大于1us,然后释放数据线,使其变为高电平。DS18B20在数据线从高电平变为低电平的15us内将数据送到数据线上。主机可在15us后读取数据线.。

  2 TMS320LF2407与DS18B20的连接

  DS18B20有三个引脚。其与TMS320LF2407A的接线图如下。VDD管脚接5V电压给传感器供电。DQ管脚为数据线,与 TMS320LF2407A的IOPA6连接的同时,还要接一个4.7K的上拉电阻,并接到5V的电源上,使数据线在空闲状态下能自动上拉为高电平。 GND管脚接地。

  3 软件设计

  3.1 精确的软件定时的实现

  众所周知,TMS320LF2407的内核属于C2000系列的处理器,处理速度达到30MIPs,也就是每条指令所花的时间理论上只有33ns。但是实际情况是,由于DSP外部电路的数据处理速度和数据调用等因素,往往处理速度达不到这个数量级。那怎样测出每条指令的处理时间从而计算出软件延时程序的精确时间呢?计算方法如下:

  1、延时程序的C语言代码为:

  for(loopindex=0;loopindex
其中loopindex 为unsigned int,无符号整形数值, N为常量,根据所要求的延时时间,计算得出。具体算法在下面给出。

  2、这个for语句在CCS中的编译器编译后所产生的汇编语言为:

LACL #0h
SACL *, 0
LACL *
SUB N(计算得到的循环次数)
BCND 转移的地址,GEQ
LACC *, 0
ADD #1h
SACL *, 0
LACL *
SUB N(计算得到的循环次数)
BCND 转移的地址,LT

  这些汇编语句所占用的时间可以计算成公式:DELAY=(9N+4)*单个指令周期。

  3、测试出一个指令周期

  系统所用晶振为20M,倍频以后的时钟频率为40M,定时器1的分频为1,也就是说定时器的计时周期为25ns。开启定时器,单步运行上面的汇编语句,看定时器每次运行后所增加的数值。测试得到,在每次单步运行占一个指令周期的汇编语句后,定时器的数值增加10。也就是说,每个单指令周期的指令占用的时间为:25ns*10=250ns,也就是0.25us。

  4、延时程序的最终计算公式为:

  DELAY =(9n+4)*0.25us。

  由公式可以看出,当n=0时,DELAY=1us,当n=65535时,DELAY= 150ms。

3.2 主要程序

  由于文章篇幅的关系,这里只给出复位程序、读字节程序和整个读温度的主程序,写命令字的程序可以根据上面所述的时序自行编写。

#define nop() {asm( nop );}
#define DATA_PORT PADATDIR
#define DATA_差模电感器MODE 0x0040
#define DATA_OUT 0x4000
#define DATA_BIT 0x0040
#define PIN_HIGH() {PADATDIR=PADATDIR|DATA_OUT|DATA_BIT;}
#define PIN_LOW() {DATA_PORT=(PADATDIR|DATA_OUT)&(~DATA_BIT);}
#define PIN_LEAVE() {DATA_PORT=DATA_PORT&(~DATA_OUT)|DATA_BIT;}
/* 传感器复位程序 */
unchar reset(void)
{ unchar retval;
unint loopindex="0";
PIN_HIGH();
nop();nop();nop();nop(); /* 延时1us*/
PIN_LOW();
for(loopindex=0;loopindex<功率电感;213;loopindex++){;} /*置总线为低电平并保持至少480us */
PIN_HIGH();
for(loopindex=0;loopindex<26;loopindex++){;} /*等电阻拉高总线并保持15-60us */
PIN_LEAVE(); /*接受应答信号*/
nop();
if((DATA_PORT & DATA_BIT) == 0x0000)平面变压器厂家 | 平面电感厂家

DC/DC均流问题问题描述:目前在做产品均流实验,单模块100W左右,正常工作时均流效果还不错,问题是在负载空、满载切换和满载启动时会触发产品自身的过流保护功能。想请问有没有什么解决方法可以

锂离子电池智能充电器硬件的设计 锂离子电池具有较高的能量重量和能量体积比,无记忆效应,可重复充电次数多,使用寿命长,价格也越来越低。一个良好的充电器可使电池具有较长的寿命。利用C8051F310单片机设计的智能充电器,具有较高的测

高端MOS管占空比为1的驱动怎么做?像IR2110之类的,是靠自举驱动高端MOS的,信号不变化,就不会给自举电容充电,所以实现不了D=1的驱动。

但是我的应用场合需要让高端MOS常闭,这个怎么解决呢?







CopyRight2014
大电流电感 | 大功率电感 | 扁平线圈电感 注塑加工厂