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白光led详细图文分析

发布时间:2018-02-12 08:32:59  来源:大电流电感厂家   查看:

图7 GaInN 系 LED的量子效率与电流密度的关系

传统的白光LED都是将边长为200~350μm的正方形芯片封装成圆头柱外形,之后为了获得照明所需要的光束,再将已封装的多个白光LED组件排列成矩阵状。单纯以高输出功率为目的而特别开发出的面积比以往芯片大6~10倍,外形尺寸高达500μm~1mm的白光LED,虽然封装后可获得数百毫瓦(数十流明)的输出功率,但是加大芯片的外形尺寸,反而使白光LED内部的升压电感光吸收比率增加、外部取光率降低。就以AlGaInP LED为例,芯片的外形尺寸从0.22mm×0.22mm加大为0.50mm×0.50mm后,外部取光率反而降低20%左右。如果改用T差模电感IP结构,内部多重反射的结果使得内部光吸收率降低,外部取光率则明显提高。G功率电感aInN LED 也有相同的效果。如何提高LED芯片的外部取光率是LED应用于一般照明绕行电感领域的关键。此外,高的热阻抗(150~200K/W)对高亮度输出相当不利。LED内部量子效率对活性层温度的依存度极大,因此除了低热阻抗封装技术之外,利用散热片排共模电感除活性层的热流成为今后研发的热点。

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