移相全桥驱动
IGBT死区，还有变压器隔离驱动，最好做成负压关断的。
IGBT的死区调节，是通过UC3875的移相脚调节？
负压关断如何设计？我原先做的3000W以下的用的是MOS管原理图基本没动过
驱动MOS的电路不能直接拿来驱动IGBT吧？要加负压关断。
负压关断是从驱动变压器上做好？
之前驱动变压器原边驱动电阻150欧，老化过程中经常会坏IGBT。 后来我把150欧改成51欧后，IGBT就没坏过，但是推挽的器件工作温度变得非常高了。
我将原先的驱动变压器匝数提高了10匝，一点效果都没。
Q1，Q5两个管子的温度在带载老化过程中，温升比其他三组高20度左右！
变压器变比大了
你说的变压器变比大，是我主功率的变压器？ 这个变压器是好的电源上拆下来的，应该没问题
如果原来是驱动MOS的话，看看开关频率，IGBT的驱动频率不宜过高，一般都是用在20-30K，另外IGBT需要负脉冲。大功率建议您采用TC4424系类的芯片扩流，然后用驱动变压器隔离驱动。
哦，我频率是用了85K，IGBT是IXFK27N80Q
吼吼，IGBT这么高的频率，电流要降额使用的
如果我使用的频率不变的情况下，有什么办法可以改变？ 变压器已经按85K做好了。
按你的说法，我把频率降下来之后，驱动波形确实改善了
或者把IGBT改成MOS管啊，800V的mos也是有的，再说了移相全桥更适合MOS
换成MOS还得注意体二极管，不经常在线，可以加我QQ：304038989，全桥串联LC谐振移相我做的较多，可以一起探讨。
OK
学习了
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