[逆变器]MOSFET的Cgd电容

经常看帖子中讲到，MOSFET的Cgd电容会将漏源极间电压耦合到栅极上，导致MOSFET烧坏，请问这一过程是怎么进行的，求大神帮忙解释，非常谢谢没看到过有这种说法啊。

如果真有这种说法，说说我自己理解，就是电容的特性是隔直通交，MOS是以高频工作的，电容阻抗会小很多，漏栅极电容属于寄生电容，漏极一般接变压器，有三百多伏的高压，并持续的震荡，因为电容对高频阻抗很小，所以这个漏极电压会耦合到栅极上面。

造成栅极过压损坏。

在栅源极间并一电阻可以缓解这种现象。

以上内容纯属猜测。

是有两个电容Cgd和Cgs，若G板开路从D极往S极看上去，等于是这两个电容串联，电流加入D丶S极，这两个电容会充电得到电压，电压大小与该电容量成反比，例如1000pF上得到2V，而2000pF上就得到1V。

两个电容总合电压就是MOSFET未导通时的Vds电压，当Cgs上面的电压到达了Vgs门槛电压之时，开始导通。

因此运用时G丶S间不能开路必须开联电阻，以分流来降低由Cgd路径而得到的Vgs电压。

简单讲两个电阻串联可以构成分压，当然两个电容串联也是可以构成分压，所幸的是Cgs大于Cgd，否则难以诮除一上电就导通的现象。

关于电感选型的疑问需要做一个车充，PCB面积很有限，输出端电感是33uh，网上查了下 封装好多，不知道怎么选请教大家，同一电感值封装不同，是否就是过流不同，还有什么的不同？？先谢啦





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